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联想

麦科信仪器仪表光隔离探头 共模抑制比高达180dB OIP200B

麦科信OIP200B光隔离探头是一款基于SigOFIT™技术的高性能测试仪器附件,专为高精度、高安全性电压测量而设计。其核心优势在于极高的共模抑制比(CMRR),在DC至200MHz带宽内,CMRR高达180dB,在200MHz时仍保持122dB,能有效抑制共模噪声,确保在复杂电磁环境下信号的真实还原,是判定其他电压探头测量结果真实性的终极裁判。

详细规格

分类联想

核心亮点

共模抑制比高达180dB

200MHz时仍达122dB

支持±2.5V至±5000V宽差模电压测量

直流增益精度优于1%

底噪小于1.46mVrms

输入电容小于3pF

适合人群

  • 从事电源设计与评估的电子工程师
  • 对测量精度和安全性有极高要求
  • 研发第三代半导体(如GaN
  • SiC)器件的工程师
  • 需要避免测试炸管
  • 负责电机驱动
  • 功率转换器设计的高级研发人员
  • 需精确捕捉高频信号
  • 进行EMI/ESD故障排除的测试工程师
  • 依赖高共模抑制比消除干扰
  • 高校电子
  • 电气工程专业的研究生
  • 进行高精度实验数据采集
  • 工业自动化领域的技术专家
  • 需对高压
  • 高带宽设备进行安全测试
  • 对测试仪器性能有极致追求的电子发烧友
  • 关注前沿测量技术
  • 负责逆变器
  • UPS等设备质量检测的品控工程师
  • 需要可靠测量工具

产品详情

该探头支持±2.5V至±5000V的宽差模电压测量范围,通过匹配不同衰减器可实现满量程输出,信噪比极高。其直流增益精度优于1%,全量程内底噪小于1.46mVrms,预热后零点漂移小于500μV,保证了测量的长期稳定性和精确性。探头采用光隔离技术,输入电容小于3pF,对被测电路影响极小,特别适用于测试氮化镓(GaN)等第三代半导体器件,能有效避免因探头电容导致的器件炸管风险。

其上升时间≤1.75ns,响应迅速,上电即测,校准时间小于1秒,操作高效便捷。探头体积小巧,引线精巧,使用灵活,适用于电源设备评估、电机驱动设计、功率转换器、IGBT半/全桥设备、高压高带宽测试、逆变器、UPS、开关电源、宽电压/宽带测试及各种浮地测试等多种严苛应用场景,是电子工程师、研发人员进行高精度、高安全性电压测量的可靠工具。

产品信息

常见问题解答

该产品适合哪些用户?

从事电源设计与评估的电子工程师,对测量精度和安全性有极高要求、研发第三代半导体(如GaN、SiC)器件的工程师,需要避免测试炸管、负责电机驱动、功率转换器设计的高级研发人员,需精确捕捉高频信号、进行EMI/ESD故障排除的测试工程师,依赖高共模抑制比消除干扰、高校电子、电气工程专业的研究生,进行高精度实验数据采集、工业自动化领域的技术专家,需对高压、高带宽设备进行安全测试、对测试仪器性能有极致追求